在可编程逻辑器件领域，基于SRAM的FPGA经常被误解。这些FPGA具有极高的灵活性和可重新配置特性，是从消费电子到航空航天等各类应用的理想选择。此外，基于SRAM的FPGA还能带来高性能和低延迟，非常适合实时数据处理和高速通信等要求苛刻的任务。一个常见的误解是，基于SRAM的FPGA会因启动时间较长而不堪负荷。通常的说法是，由于其配置数据存储在片外，特别是在加密和需要验证的情况下，将这些信息加载到FPGA的过程就成了瓶颈。然而，对于许多基于SRAM的现代FPGA来说，这种观点并不成立，莱迪思Avant™
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SRAM FPGA 安全启动机制 莱迪思 Lattice
上周在 IEEE 国际固态电路会议 （ISSCC） 上，先进芯片制造领域最大的两个竞争对手 Intel 和 TSMC 详细介绍了使用其最新技术 Intel 18a 和 TSMC N2 构建的关键内存电路 SRAM 的功能.多年来，芯片制造商不断缩小电路规模的能力有所放缓，但缩小 SRAM 尤其困难，因为 SRAM 由大型存储单元阵列和支持电路组成。两家公司最密集封装的 SRAM 模块使用 0.02
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纳米晶体管 SRAM 英特尔 Synopsys TSMC 内存密度
英特尔在国际固态电路会议 (ISSCC) 上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔 18A
工艺技术的功能。演示重点介绍了 SRAM 位单元密度的显著改进。PowerVia 系统与 RibbonFET (GAA)
晶体管相结合，是英特尔节点的核心。该公司展示了其高性能 SRAM 单元的坚实进展，实现了从英特尔 3 的
0.03 µm² 减小到英特尔 18A 的 0.023 µm²。高密度单元也显示出类似的改进，缩小到 0.021 µm²。这些进步分别代表了
0.77 和
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英特尔 18A SRAM 台积电
01 问题的描述某客户使用 STM32G071 芯片从 standby 模式下唤醒，想要 SRAM 的数据在退出 standby模式后得以保持。根据手册的描述，配置了相应的比特位，但是发现数据仍然保持不了。02 问题的复现根据客户的描述，以及 STM32G071 的最新版参考手册 RM0444 发现，在 standby 模式下，可以通过设置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相应的 API 接口函数为HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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STM32G071 standby SRAM
SRAM正在通过与芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk软件，开始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于这种人工智能设计流程，我们可能会看到完全重新构想的SRAM曲柄投放市场。不容置疑的是，SRAM在这种新的设计方法中投入了大量精力，并且他们已经在真实的道路上，用这款电脑设计的山地车曲柄进行了的多次迭代测试……使用Autodesk，SRAM能够从空白开始，让人工智能根据曲柄组中的作用力和各种自动化制造过程，为原型曲柄组筛选出最佳的设计形式。到目前为止，似乎SRAM已经
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SRAM 3D打印
像Nvidia这样的芯片巨头可以负担得起7nm技术，但初创公司和其他规模较小的公司却因为复杂的设计规则和高昂的流片成本而挣扎不已——所有这些都是为了在晶体管速度和成本方面取得适度的改善。格芯的新型12LP+技术提供了一条替代途径，通过减小电压而不是晶体管尺寸来降低功耗。格芯还开发了专门针对AI加速而优化的新型SRAM和乘法累加(MAC)电路。其结果是，典型AI运算的功耗最多可减少75%。Groq和Tenstorrent等客户已经利用初代12LP技术获得了业界领先的结果，首批采用12LP+工艺制造的产品将于
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AI CNN SRAM CPU 芯片
引言自从几十年前首次推出FPGA以来，每种新架构都继续在采用按位（bit-wise）的布线结构。虽然这种方法一直是成功的，但是随着高速通信标准的兴起，总是要求不断增加片上总线位宽，以支持这些新的数据速率。这种限制的一个后果是，设计人员经常花费大量的开发时间来尝试实现时序收敛，牺牲性能来为他们的设计布局布线。传统的FPGA布线基于整个FPGA中水平和垂直方向上运行的多个独立分段互连线（segment），在水平和垂直布线的交叉点处带有开关盒（switch box）以实现通路的连接。通过这些独立段和开
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ATT FCU SRAM FMAX
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布扩大其备受欢迎的IP的授权范围，帮助设计师能够在瞬息万变的行业中满足广泛的客户需求。自即日起，客户将可访问诸如尖端的7nm（纳米）SRAM和TCAM，以及领先的标准以太网时间敏感网络（TSN）等IP。此外，瑞萨电子正致力于打造包括PIM（内存处理）的系统IP，该技术首次在2019年6月的会议论文中提出，作为AI（人工智能）加速器引起广泛关注。利用这些IP，客户可迅速启动其先进的半导体器件开发项目，例如为领先的5G网络开发下一代AI芯
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IP SRAM
作者：王鑫，王烈洋，占连样，陈像，张水苹，汤凡，黄小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的静态随机器(SRAM)用其对大
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SRAM 测试
网络路由器带有用于性能监控、流量管理、网络追踪和网络安全的统计计数器。计数器用来记录数据包到达和离开的次数以及特定事件的次数，比如当网络出现
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SRAM 网络
MRAM新创公司STT开发出一种存储器专有技术，据称可在增加数据保持的同时降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。这种新式的“岁差自旋电流”(PSC)储存结构将在MRAM市场扮演什么角色?它能成为加速MRAM市场起飞的重要推手吗? 磁阻式随机存取存储器(Magnetic RAM;MRAM)新创公司Spin Transfer Technologies (STT)最近开发出MRAM专用技术，据称能以同步提高数据保持(retention)与降低电流
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MRAM SRAM
RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
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SRAM DRAM
随着超大规模集成电路工艺的发展，人类已经进入了超深亚微米时代。先进的工艺使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上，形成所谓的SoC(片上系统)。作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器，在SoC中所占的比重(面积)将逐渐增大。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用2
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存储器 SRAM
包括抗辐射存储器在内的先进嵌入式系统解决方案市场领导者赛普拉斯半导体公司和全球领先的半导体代工厂联华电子股份有限公司(以下简称“UMC”)今日联合宣布，赛普拉斯 65nm 和 40nm 技术平台成为业界首批荣获合格制造商名单 (QML) 认证的平台，为其未来产品铺平了道路。UMC的 Fab 12A(位于台湾台南)生产的新一代 144 Mb 四倍数据速率 (QDR) II+、
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赛普拉斯 SRAM
联华电子与抗辐射记忆体 (Radiation hardened memories) 领导厂商Cypress今 ( 15日) 共同宣布，Cypress的65和40奈米的技术平台率先业界，完成其先进产品流程合格製造商清单 (QML) 的认证。 联华电子位于台湾台南的Fab 12A所製造的下一代144-Mbit四倍资料速率 (QDR) II +，144-Mbit&nbs
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Cypress SRAM
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